非揮發性記憶體可靠性試驗 （NVRAM）
- 詳細描述
- 案例分享
- 應用範圍
- 設備規格
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- 商品名稱: 非揮發性記憶體可靠性試驗 （NVRAM）
重複擦寫測試（Cycling Endurance Test）：分別於高溫和常溫下對非揮發性記憶體組件進行固定次數的Erase/Program，目的為測試該組件重複擦寫的耐久能力。
數據儲存能力測試（Data Retention Test）：將數據儲存於非揮發性記憶體組件後，分別進行高溫加速烘烤，高溫常溫讀取組件內數據，目的為測試該組件的數據儲存能力。
測試條件
失效模式
重複擦寫測試（循環耐久性測試）
無法達到該非揮發性記憶體組件規格書定義的擦/寫次數。
無法於該非揮發性記憶體組件規格書定義的擦/寫次數內進行擦除或寫入動作。
數據儲存能力測試（Data Retention Test）
無法達到該非揮發性記憶體組件規格書定義的資料儲存時間。
因電荷流失、電容性耦合失效等等原因造成資料儲存錯誤。
服務優勢
可協助客戶編輯Flash 測試Pattern，另可提供編輯HTOL/ELFR 測試Pattern。
參考規範
JESD 47 / JESD22-A117 / JESD22-A103 / JESD22-A108 / AEC-Q 系列
適用領域
車用、消費性、商用、工業用
所屬分類：
標籤：
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