雙束聚焦離子束（Dual Beam FIB）
- 詳細描述
- 案例分享
- 應用範圍
- 設備規格
- TEM樣品製備手法
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- 商品名稱: 雙束聚焦離子束（Dual Beam FIB）
通常簡稱為 FIB-SEM ，是一種將 聚焦離子束 和 掃描電子顯微鏡 集成在同一個設備中的先進儀器。
聚焦離子束
卓越的FIB性能，採用高斯鎵離子源，具備奈米級加工和超薄切片（<5nm）能力，非常適合半導體、先進元件等最精密的樣品製備和切割。
掃描電子束
超高解析度SEM成像，Helios 5UX 配備的是賽默飛最先進的Elite型電子鏡筒，能夠提供極高的空間解析度（在最佳條件下可達0.6nm@1kV，0.9nm@500V），可以清晰地觀察奈米級別的表面形貌和結構細節。
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橫截面分析
Helios 5UX 能夠清晰地觀察納米顆粒、晶體結構、原子級的缺陷等。提供非常穩定、低噪點的圖像，特別適合進行長期、重複性的觀察和測量。
EDS分析
Helios 5 UX 的高解析度 SEM 成像能力，確保了 EDS 分析的定位極其精確。
晶片失效分析
Helios 5 UX 的離子束系統性能卓越，能夠實現極其精密的切割，又稱「奈米雕刻」
銅晶粒分析
Helios 5 UX離子束成像清晰，離子束對研磨後的銅表面進行照射，可以讓銅晶粒邊界更加明顯。
TEM樣品製備
Helios 5 UX 實現了低電壓、低束流的離子束進行最終拋光，能有效去除前期加工引入的表面非晶損傷層，獲得原子級平整的乾淨薄區。
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半導體組件失效分析
半導體生產線製程異常分析
薄膜結構分析
穿透式電子顯微鏡試片製作
截面成分分析
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影像
點分辨率：0.1nm
STEM 分辨率：0.16nmEDS
探測器：4 SDD
立體角：0.9其他功能
壓電舞台+DCFI
4K×4K CCD
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橫截面樣品（Cross-sectional）
定點失效分析推進找異常時，發現異常可直接做TEM樣品製備，進行TEM分析。
平面樣品（Plan-view）
平面樣品與截面樣品相輔相成，分別解決了材料表徵中不同維度的問題。能直觀準確地找到該平面中異常區域，並定位。
平面樣品轉橫截面樣品（Plan-view- Cross-sectional）
根據平面精確定位做截面分析，平面異常展現轉為截面異常展現，不同維度來立體呈現異常。
倒切
在特殊樣品中，標準截面製備產生的水簾效應影響到目標區的觀測，則選用倒切方式製樣。
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