透射電子顯微鏡（TEM）
- 詳細描述
- 案例分享
- 應用範圍
- 設備規格
- TEM模式對應觀測內容
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- 商品名稱: 透射電子顯微鏡（TEM）
TALOS F200E 賽默飛世爾科技（Thermo Fisher Scientific）生產的一款高端、200千伏的透射電子顯微鏡。它不是一個基礎型號，而是一個功能強大、高度整合的分析型TEM平台，旨在為材料科學、奈米技術和半導體研究提供高分辨率成像與綜合成分分析。
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高解析TEM影像分析
TALOS F200E 在最佳條件下，點分辨率可達 <0.25 nm，線分辨率（資訊極限）可達 <0.14 nm。這意味著它能夠清晰地分辨出大多數晶體材料中小於 0.2 奈米的晶面間距
高解析TEM/EDS分析
TALOS F200E 中TEM/EDS分析的終極目標結構與成分完美對應，真正的「所見即所得」。
3D V-NAND Flash分析
3D NAND 的核心特徵是透過堆疊數十甚至上百層器件單元形成的高深寬比結構。製備出的TEM樣品通常是一個包含整個堆疊層的「橫截面」，其上下層之間的厚度差異顯著。
LED磊晶結構分析
LED 外延結構（如 GaN 基藍光 LED、Micro-LED 等）對界面品質、材料純度、缺陷密度和化學成分起伏極為敏感，而 F200E 正是解決這些問題的利器。
應力分析
TALOS F200E 在這方面並非使用傳統力學測試方法，而是透過其高解析成像和繞射能力，提供了一種在奈米甚至原子尺度上進行定量應變測量的強大手段。
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顯微結構分析(晶格影像)
晶體缺陷晶格缺陷（位錯）分析
元素成分分析
薄膜應力分析
電子繞射圖分析
雜質及污染源分析
影片自動量測分析
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影像
點分辨率：0.1nm
STEM 分辨率：0.16nmEDS
探測器：4 SDD
立體角：0.9其他功能
壓電舞台+DCFI
4K×4K CCD
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HRTEM 模式
原子分辨率，直觀顯示晶格，原子排列、晶體結構
STEM（HAADF）
Z-襯度，易解釋，適合聯用EDS/EELS，原子序數對比、三維結構
明/暗場像
對晶體缺陷敏感，位錯、晶界、沉澱相
NBED
納米尺度衍射，微小區域的晶體結構
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