驗證分析

透射電子顯微鏡（TEM）

- 商品名稱: 透射電子顯微鏡（TEM）
賽默飛Talos F200E 200KV場發射S/TEM透射電子顯微鏡，搭載高速Super-X能譜系統，可實現原子級形貌觀測與微區元素分析，是一個功能強大、高度集成的分析型TEM平台，旨在為材料科學、奈米技術和半導體研究提供高分辨率成像和綜合成分分析。

Talos F200E在最佳條件下，TEM資訊極限≤0.12nm，線分辨率≤0.1nm，STEM分辨率≤0.16nm，可實現原子級形貌觀測。

透射電子顯微鏡亮場影像

通過高能電子束穿透樣品，經電子光學透鏡聚焦成像，從而實現對樣品內部微觀結構的觀察。

STEM亮場影像

使用環形探測器，收集穿過樣品的直射電子和低角度彈性散射電子，同時過濾掉高角度散射電子，與 HAADF 形成互補。

STEM暗場影像

收集高角度散射電子生成圖像，能直觀呈現原子序數差異，實現單原子級別的觀察。

TEM影像

EDS繪圖

STEM HAADF影像

C地圖

在地圖上

Cl 地圖

Hf地圖

W地圖

地圖

提馬普

N地圖

地圖

如果地圖

元素全部映射

EDS線掃描

Talos F200E 中TEM/EDS分析的終極目標結構與成分完美對應，真正的「所見即所得」。

TALOS F200E 中TEM/EDS分析的終極目標結構與成分完美對應，真正的「所見即所得」。

3D NAND的核心特徵是通過堆疊數十甚至上百層器件單元形成的高深寬比結構。製備出的TEM樣品通常是一個包含整個堆疊層的「橫截面」，其上下層之間的厚度差異顯著。

LED外延結構（如GaN基藍光LED、Micro-LED等）對界面質量、材料純度、缺陷密度和化學成分起伏極為敏感，而F200E正是解決這些問題的利器。

影像	TEM資訊限制≤0.12奈米 TEM線分辨率≤0.1nm STEM 分辨率 ≤0.16nm
EDS	探測器：4 個 SDD 立體角：0.9
其他功能	壓電平臺+DCFI 4K×4K CCD

高解析透射電子顯微鏡 模式： 原子分辨率，直觀顯示晶格、原子排列、晶體結構

STEM （HAADF）： Z- 對比度，易解釋，適合聯用EDS/EELS，原子序數對比、三維結構

明/暗場像： 對晶體缺陷敏感，位錯、晶界、沉澱相

NBED ：奈米尺度衍射，微小區域的晶體結構